文|贾璐珊
光刻胶广泛应用于IC、FPD和PCB等下游领域,全球市场规模近百亿美元。我国光刻胶产业在技术难度相对较低的PCB领域国产化率约50%,在技术难度较高的IC和FPD光刻胶领域国产化率约为5%。
全球半导体技术持续进步背后是光刻工艺持续迭代驱动的摩尔定律,缩短曝光波长主要是通过在光刻机等核心设备和光刻胶等核心材料的不断进步来实现。光刻胶及其配套化学品占半导体材料产值12%,行业技术壁垒和客户壁垒高,目前主要被日本、韩国和欧美国家垄断,特别是ArF浸润式(28nm及以下)以及EUV等关键节点。
国产高端光刻胶发展充满机遇:(1)下游LCD产业向大陆转移+集成电路成熟制程扩产显著,为国产光刻胶企业提供发展土壤与市场空间。(2)中美贸易摩擦、2020年疫情、近期KrF光刻胶供应受限,使供应链安全与全产业链自主可控成为重中之重,特别是在28nm及以上成熟制程应用领域;日本光刻胶产业集群的发展为国内光刻胶企业提供借鉴经验。(3)光刻胶具备高重要程度+成本不敏感属性,供应链存在天然高稳定性的特点,在加速进口替代的趋势下,核心材料一体化+具备先发优势的龙头公司将更具有竞争优势。
一、光刻胶基本介绍
1、IC(集成电路)行业应用
2、LCD面板行业应用
3、PCB(印制电路板)行业应用
4、光刻胶的性能指标
5、光刻胶行业的特点及发展趋势
二、光刻胶产业链情况
1、全球光刻胶产业链情况
2、下游需求情况
三、光刻胶行业发展历史及主要企业
1、东京应化
2、日本合成橡胶(JSR)
3、信越化学
四、国内光刻胶生产企业主要情况
1、国内光刻胶发展缓慢的原因
2、国内主要公司
五、光刻胶行业的投资逻辑
1、PCB光刻胶投资逻辑
2、半导体、面板显示光刻胶投资逻辑
光刻胶又名“光致抗蚀剂”,具有光化学敏感性,通过利用光化学反应,并经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上。光刻胶被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是微细加工技术的关键材料,可应用于PCB、LCD与集成电路等下游领域。
光刻胶主要是由光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体。树脂和光引发剂是光刻胶最核心的部分,树脂对整个光刻胶起到支撑作用,使光刻胶具有耐刻蚀性能;光引发剂是光刻胶材料中的光敏成分,能发生光化学反应。
光刻胶广泛应用于IC、面板显示和PCB等下游泛半导体领域。光刻胶自1959年被发明以来,就成为半导体工业最核心的工艺材料;随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为PCB生产的重要材料;二十世纪九十年代,光刻胶又被运用到LCD器件的加工制作,对LCD面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类。
光刻工艺是将掩膜版的电路结构复制到硅片上的过程,,而光刻胶是光刻工艺中的重要材料。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-60%。
半导体光刻胶根据对应的波长可分为紫外光刻胶(300-450nm)、深紫外光刻胶(160-280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。同时随着DUV光源被广泛采用,化学放大(CAR)技术逐渐成为行业应用的主流。
不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越短,加工分辨率越佳。目前,主要的光刻胶由g、i、KrF、ArF四类组成。这4种光刻胶,由于需求的不同,光刻胶的各组成部分及其比例也各不相同。
光刻工艺及光刻胶是半导体摩尔定律发展的核心驱动力。根据摩尔定律,由于光源波长与加工线宽呈线性关系,这意味着光源采用更短的波长将得到更小的图案、在单位面积上实现更高的电子元件集成度,从而使得芯片性能可能呈指数增长,而成本却同步大幅下降。迄今为止,规模集成电路均采用光刻技术进行加工,光刻的线宽极限和精度直接决定了集成路的集成度、可靠性和成本。
随着光刻的曝光光源向深紫外光发展、加工线宽逼近10nm、甚至达到7nm以下,但同时光源的发生系统和聚焦系统也面临更大的挑战,制造相同照度的曝光光源所需的能耗和加工成本也呈指数增长。半导体产业要继续摩尔定律,就需要光刻胶等材料的革新和光刻技术的颠覆性转变。
不同曝光波长的光刻技术的进阶意味重大的技术演变,需要光刻机与光刻胶的协同优化来保证每个技术节点的按时推出。自上世纪50年代开始,光刻技术经历了紫外全谱(300-450nm)、G线(436nm)、I线(365nm)、深紫外(248nm和193nm)、极紫外(13.5nm)和电子束光刻等六个阶段,除了对应于各曝光波长的光刻机不断取得进阶外,光刻胶及其组成部分也随着光刻技术的发展而变化。
以ArF光刻胶为例,本世纪初,90nm节点逻辑器件开始采用ArF 193nm光刻胶,一直沿用至65/55nm节点;从45nm节点开始采用浸没式ArF 193nm光刻胶,对应193nm浸液式光刻技术的极限分辨率是10nm(晶体管密度相当于台积电的7nm)。而EUV作为突破摩尔定律瓶颈的关键因素之一,已经成为制造7nm、5nm和3nm逻辑集成电路的关键武器,相应地,EUV光刻胶也需在这些工艺节点上与光刻技术配套使用。
应用于显示面板行业的光刻胶可以按用途再细分为TFT用光刻胶、触摸屏用光刻胶和滤光片用光刻胶。
TFT用光刻胶:用于在玻璃基板上制造场效应管(FET)。每一个TFT都用来驱动一个子像素下的液晶,因此需要很高的精度。由于TFT整列的结构比较简单且标准化,以及TFT阵列对于尺寸的要求比先进集成电路低很多。因此一般g线光刻胶就可以满足要求。
触摸屏用光刻胶:触摸屏则是以触摸控制为目的的功能单元。在触屏应用中,光刻工艺用于ITO sensor的制造。ITO sensor是通过将ITO材料按照特定的图案,涂在玻璃或者Film上,然后贴在一层厚的保护玻璃上得到的。触摸屏用光刻胶用于在玻璃基板上沉积ITO,从而制作图形化的触摸电极。
滤光片用光刻胶:用于制作彩色滤光片,又分为彩色光刻胶和黑色光刻胶。彩色滤光片是TFT-LCD实现色彩显示的关键器件,占面板成本的14%-16%。彩色光刻胶和黑色为光刻胶是制备彩色滤光片的核心材料,占彩色滤光片成本的27%左右。
PCB制造目前90%以上使用光刻胶光刻制造,所用材料为抗蚀油墨。早期电路板用丝网印刷方式将抗蚀油墨转移到覆铜板上,形成电路图案,再用腐蚀液腐蚀出电路板。但是由于光刻技术具有精度高、速度快、相对成本较低的优势,已经基本取代了丝网印刷方式制造电路板。
PCB光刻胶主要使用的有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光油墨等。干膜和湿膜的区别主要在于涂敷方式。湿膜光刻胶直接以液态的形式涂敷在待加工基材的表面;干膜光刻胶则是由预先配制好的液态光刻胶涂布在载体薄膜上,经处理形成固态光刻胶薄膜后再被直接贴附到待加工基材上。
PCB用干膜与湿膜光刻胶各有特点。从总体上来说,湿膜具有分辨率高,成本低廉,显影与刻蚀速度更快等优势。因此,在PCB应用中,湿膜光刻胶正逐渐实现对干膜光刻胶的替代。但是干膜光刻胶在特定应用场景下具有湿膜光刻胶不具备的特点。比如在淹孔加工场景中,湿膜光刻胶会浸没基材上的孔洞,造成后期加工和清理的不便。而干膜光刻胶就不存在这个问题。
光刻胶的性能指标包含分辨率、对比度、灵敏度、粘滞性/粘度、粘附力、抗蚀性、表面张力。优秀的光刻胶必须具备高分辨度、高敏感度和高对比度,以保证能将精密的图像从掩模版转移到硅片上。另外,光刻胶的技术要求高,所有的技术指标都必须达标,因此除上述三个硬性指标外,好的光刻胶还必须具有强蚀刻阻抗性、高纯度、低溶解度、高粘附性、小表面张力、低成本、长寿命周期以及较高的玻璃化转换温度。
半导体用光刻胶、面板显示光刻胶和PCB光刻胶的技术难度逐级降低,其中IC用光刻胶的技术壁垒最高。具体来看,在上游原材料环节,存在原材料壁垒;在中游光刻胶制备环节,存在配方壁垒、品质管控壁垒以及设备壁垒,光刻胶制备完成之后,还面临着下游客户认证壁垒。
技术壁垒和客户认证壁垒是光刻胶行业主要的壁垒。(1)技术壁垒:光刻胶工艺复杂,定制化程度高,且难以对光刻胶成品进行逆向分析和仿制,目前光刻胶核心技术被日本、欧美企业垄断。全球光刻胶研制专利主要分布在日本和美国,合计占比高达82%;(2)客户认证壁垒:光刻胶在下游企业的审核认证周期长(1-3年),测试验证成本高。
随着集成电路芯片设计尺寸的不断减小,光学光刻越来越接近其物理分辨的极限,尽管通过193nm浸没式、双重曝光、双重图形等技术可以将193nm曝光延续到10nm工艺节点,但工艺复杂度及成本越来越高,EUV光刻作为下一代光刻技术应运而生。EUV光刻技术不仅能够提升光刻的精细程度,还能降低芯片的成本。
EUV光刻是集成电路先进制程发展的趋势,目前市场上最先进的芯片采用5纳米工艺,台积电等厂商正致力于将3nm制程商业化,而解决EUV光刻胶的难题则是推进芯片制造技术的最关键途径。据TECHCET预测,EUV光刻胶的市场规模在2020年将超过1000万美元,到2023年年平均增长率预计达到50%以上。目前,EUV光刻胶的市场几乎被日本TOK、信越化学和JSR垄断。
同时,电子束光刻也是最受关注的下一代光刻技术之一。如前所述,限制紫外光刻分辨率的重要因素是光源的波长,而进一步开发波长更小的光源面临巨大挑战。电子束与紫外光一样能使一些聚合物产生解链或者交联反应,从而在显影过程中形成对应的图形,因此,电子束光刻技术也在逐步发展。
电子束光刻是至今为止分辨率最高的光刻技术,由于它是直写式方法,不需要昂贵且费时的掩模版,成本相对较低,而且易于控制、修改灵活,已经引起广泛重视。电子束光刻胶与紫外光刻胶的反应机理相似,但由于光源特性——比如,电子束在反应过程中会产生散射,导致其作用过程比紫外光刻复杂的多。
市场方面,目前EUV光刻胶的市场几乎被日本TOK、信越化学和JSR垄断,日本在EUV光刻胶领域具备十分明显的技术优势。国外电子束光刻技术的研究水平已能加工出2.2nm的线宽,电子束光刻胶早已投入批量生产。而国内尚未具备EUV和电子束光刻胶的研发与生产能力,这一方面仍需突破。
光刻胶产业链上游包括感光树脂、单体、光引发剂及添加助剂等原材料,中游包括PCB光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶的制备,下游是各种光刻胶的应用。
在上游原材料环节,行业代表企业有陶氏杜邦、富士胶片、巴斯夫和强力新材等公司,全球主要生产企业分布于日本、美国、中国、韩国、英国以及荷兰,其中所属地在日本的企业占比为49%。我国企业数量占比有29%,但各个企业在光刻胶专用化学品上的产量和规模较小,品种规格较为单一,分布极不均衡。在技术含量相对较低的PCB光刻胶上游原材料,各国企业分布较为均衡,而在面板显示和半导体光刻胶上游,被日韩美等厂商垄断,国内企业受限于关键技术积累少、产能规模小、资金投入有限等因素,市场份额很低。
原材料市场长期被日韩厂商垄断,国内从事光刻胶原材料研发及生产的供应商较少,光刻胶制造商对于光刻胶原材料主要依赖于进口,在原材料环节的议价能力弱。光刻胶设备供应商方面,主要依赖美国、日本、荷兰等国,国内在上游设备市场竞争力较弱,不如国外设备厂商议价能力强。
目前G线、I线、KrF的树脂材料都是可以买得到的,但是ArF对应的树脂很可能买不到,所以国内企业如南大光电、晶瑞股份开始从单体到树脂到光刻胶的全产业链布局。从上游树脂的配方开始到光刻胶生产形成产业链闭环,才能真正实现光刻胶产业链的自主可控。
海外光刻胶产业链
中国大陆光刻胶产业链
光刻胶属于高技术壁垒材料,需要与光刻机配合使用,生产复杂、纯度要求高,需要长期技术积累。在中游光刻胶制造环节,全球光刻胶供应市场高度集中,核心技术掌握在日、美等国际大公司手中,其中日本占比超过70%,而大陆企业市场占有率不足10%。
日本的JSR、东京应化、信越化学及富士胶片四家企业占据了全球70%以上的市场份额,处于市场垄断地位。在全球半导体光刻胶市场上,日本企业处于绝对垄断地位。
按下游应用看,面板行业,主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等;在PCB行业,主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等;在半导体集成电路制造行业,主要使用G/I线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。
全球光刻胶市场结构
中国本土光刻胶市场结构
全球光刻胶市场规模有望破百亿美元,中国市场正在崛起。根据Cision数据,2019年全球光刻胶市场规模预计约91亿美元,自2010年至2019年CAGR约5.4%,预计该市场2019-2022年仍将以年均5%的速度增长,至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。2019年中国光刻胶市场规模约88亿人民币,根据工信部及研究机构Cision的报告显示,十三五期间,国内光刻胶市场实现年均14.5%增长,五年平均复合增长率为12.12%,2020年全国光刻胶整体的市场规模达到176亿元,其中半导体光刻胶市场规模达到24.8亿元。
2.1半导体光刻胶需求
近些年来,全球半导体材料市场受周期性影响较大,尤其中国台湾、韩国两地波动较大。北美和欧洲市场几乎处于零增长状态,日本的半导体材料长期处于负增长状态,全球范围看,只有中国大陆半导体材料市场处于长期增长状态。
根据 SEMI 数据,2006-2020 年,全球半导体材料销售额从 372.40 亿美元增长至 553 亿美元,年复合增长率为 2.86%,中国大陆半导体材料市场销售额从 23.84 亿美元增至 97.63 亿美元,年复合增长率达 10.59%,远超世界平均复合增速,中国半导体材料市场销售额占比也从6.4%持续升至17.65%,随着中国大陆半导体产业快速扩产,国内半导体材料市场空间将一同迅速增长。
虽然中国半导体材料占比已经提升至17.65%,相比于国内电子产业全球占比还远远不够,在美日公司占据优势的情况下,虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足,但整体对外依存度仍在60%以上,大硅片、靶材、CMP抛光垫、高端光刻胶等半导体材料对外依存度高达90%以上,未来国产替代提升空间大。
半导体光刻胶作为重要的半导体材料,主要的G-Line/I-Line、DUV光刻胶的2020年的市场规模继2018年之后,再次超过16亿美元(约人民币112亿元)。另一方面,EUV光刻胶的市场规模在2020年超过1,000万美元(约人民币7,000万元),到2023年年平均增长率预计达到50%以上。同时,2020年-2022年,中国大陆圆晶厂将迎来投产高峰期。下游产能增长将带来对上游光刻胶等材料的高需求。据国内晶圆厂的建设速度和规划,预计2022年国内半导体光刻胶市场是2019年的两倍,半导体光刻胶市场迎来高速发展,约55亿元。
分不同曝光波长看, g线/i线光刻胶仍占据着最大的市场份额。随着未来功率半导体、传感器、LED市场的持续扩大,i线光刻胶市场将持续增长,而精细化需求的增加将推动KrF光刻胶的增长并逐渐替代i线光刻胶。
ArF光刻胶对应的集成电路制程节点最为先进,且随着双/多重曝光技术的使用,ArF光刻胶的市场将快速成长。根据美国半导体产业协会SIA的统计,2018年高端ArF干式和浸没式光刻胶占据了42%的市场份额,KrF和g线/i线光刻胶分别占据22%和24%的市场份额。根据富士经济预测,未来ArF、KrF光刻胶将有稳健的增长趋势,2023年全球ArF光刻胶产能有望达到1870吨,市场规模近49亿元。
此外,目前虽已有使用EUV来实现更高分辨率微细加工技术的试探,但由于新型微细加工技术的导入需要巨额的设备投资,半导体芯片制造商导入EUV加工技术的步伐暂未完全迈开。
2.2面板光刻胶需求
在LCD面板的加工过程中,彩色滤光片是液晶显示器实现彩色显示的关键器件,占面板成本的14-16%,其生产成本直接影响到液晶显示器产品的售价和竞争力;彩色光刻胶和黑色光刻胶是制备彩色滤光片的核心材料,在彩色滤光片材料成本中,彩色光刻胶和黑色光刻胶在整体成本中占比约27%。
LCD彩色滤光片制作示意图
全球各面板光刻胶的市场结构相对稳定,彩色光刻胶的需求量最大。
2.3 PCB光刻胶需求
PCB光刻胶受益于中国PCB产业景气度持续提升,PCB光刻胶(包含湿膜光刻胶及阻焊油墨光刻胶)产业向中国转移已经基本完成,2015年,中国的PCB光刻胶产值已经占全球的70%以上。2015-2020年中国PCB产值年复合增长率为3.5%,高于全球增速。随着PCB板向高密度、高精度、多层化发展,对于PCB光刻胶的质与量的要求会越来越高。
2.4 光刻胶国产化情况
随着电子信息产业发展的突飞猛进,光刻胶市场总需求不断提升。中国光刻胶市场需求增速高于国际平均,但中国本土供应量在全球的占比仅有10%左右,具有较大发展空间。全球市场中,半导体、LCD、PCB用光刻胶的供应结构较为均衡;但中国市场中,本土供应以PCB用光刻胶为主,LCD、半导体用光刻胶供应量占比极低。
随着PCB光刻胶生产厂商向中国的产业转移,PCB光刻胶专用电子化学品供应商的市场份额及行业地位也在逐渐变化。2002年以前,国内所需的干膜光刻胶和光成像阻焊油墨全部需要进口,国内尚无PCB光刻胶专用电子化学品的生产厂家。2002年以后,日本、中国台湾地区的干膜光刻胶、光成像阻焊油墨厂商开始在中国建立生产工厂,作为原料供应商的中国台湾地区光引发剂厂商和日本光刻胶树脂厂商也在此时进入中国大陆建厂。
PCB光刻胶市场的行业集中度较高,在干膜光刻胶方面,中国台湾长兴材料、日本旭化成、日本日立化成三家公司占据了全球超过80%的市场份额;光成像阻焊油墨方面,日本太阳油墨占据了全球约60%的市场份额,前十家公司占据了80%以上的市场份额。目前中国实现国产化的光刻胶主要集中在低端PCB光刻胶,国产化率约50%。
与低端PCB光刻胶的高国产化率形成鲜明对比的是,高端LCD光刻胶和半导体光刻胶领域基本依赖于进口,如面板领域彩色光刻胶、半导体领域KrF光刻胶国产化率5%左右,半导体领域ArF光刻胶份额1%左右、EUV更是全部进口。在LCD光刻胶领域,中国企业已逐渐具备一定竞争力,中国的大部分光刻胶企业均涉及面板领域,但中国LCD光刻胶的综合国产化率还处在5%左右的较低水平,存在较大进口替代空间;而中国半导体光刻胶技术水平离国际先进水平差距更大,与世界先进水平仍有2-3代的差距,国产替代之路任重道远。
半导体光刻胶代表了光刻胶发展的最高水平。目前,主要面向45nm以下制程工艺的ArF浸没光刻胶在国际上是主流,为主要市场参与者所掌握,而国内厂商在这一领域尚未实现量产。在更为先进的EUV光刻胶领域,JSR与东京应化已经有能力供应面向10nm以下半导体制程的EUV光刻胶。在技术积累,产能建设,品牌形象等多个领域,目前中国厂商与国际竞争对手目前均有较大差距。
2019年中国半导体光刻胶行业企业布局情况
以KrF光刻胶和ArF光刻胶为代表的高端光刻胶是目前国际上使用量最高的半导体光刻胶,在全球半导体光刻胶市场占比分别41%和22%。其中,KrF光刻胶可用于3DNAND等产品的生产制造,目前KrF厚膜光刻胶主要由日韩、欧美等国家提供,国产化率不足5%;ArF光刻胶可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造,如逻辑芯片、AI芯片、5G芯片和云计算芯片等,国内ArF光刻胶几乎全部依赖进口,超过90%为日本厂商制造。
KrF光刻胶和ArF光刻胶亟需国产化。目前国内适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%,而适用于12寸硅片的ArF光刻胶基本依靠进口,国产替代空间很大。国内厂商纷纷布局KrF光刻胶和ArF光刻胶,如晶瑞股份子公司苏州瑞红高端KrF(248nm)光刻胶完成中试,产品分辨率达到了0.25~0.13µm的技术要求,建成了中试示范线;南大光电ArF光刻胶产品2020年底通过客户认证,成为国内通过客户产品验证的第一只国产ArF光刻胶。
LCD光刻胶的全球供应集中在日本、韩国、中国台湾等地区,境外企业的市占率超过90%。随着中国大陆企业在LCD光刻胶领域的积极布局,目前已能在TFT正性胶等产品方面具有一定的竞争力,但在技术含量更高的彩色光刻胶方面,仍处于探索研发阶段,彩色光刻胶和黑色光刻胶的核心技术基本被日本和韩国企业垄断。
彩色光刻胶和黑色光刻胶所用的上游材料也被国际大公司高度垄断,如颜料、光引发剂、树脂等原料,性能要求特别、品质要求苛刻,垄断程度更高。如高性能光引发剂市场长期被BASF公司垄断,颜料和颜料分散技术主要被阪田油墨、御国色素等日本颜料厂商所掌握。
大陆企业方面布局厂商有:(1)强力新材布局光刻胶上游单体及光引发剂,其研发的LCD肟酯类光引发剂填补了国产空白,打破了BASF的垄断。(2)雅克科技收购江苏科特美55%股权及LG化学下属的彩色光刻胶事业部的部分经营性资产。通过收购,雅克科技拥有了韩国光刻胶龙头COTEM的相关专利,也将同时掌握彩胶和正胶的制程工艺,以及全球知名大客户资源(如LG Display),成为全球主要的面板光刻胶供应商之一。
2.5 下游产能向中国大陆转移,国产化替代空间广阔
下游需求旺盛,中上游高端制造业“缺芯少屏”,政府大力扶植,半导体、面板产业链表现出同样的特征——下游旺盛需求倒逼上游产业进步构成发展根本动力;政府和资本合力助推大陆半导体&面板制造蓬勃发展。5G、人工智能、物联网、大数据、智能制造、智慧交通、智能电网等技术在中国快速发展,成为驱动全球半导体产业持续发展的关键驱动力。中国大陆对下游高科技产品的旺盛需求使其与日韩、中国台湾地区相比,具备了天然的优势。中国也在从低成本制造逐渐转向系统方案、再到技术创新,逐渐成为全球产业生态链的重要合作伙伴。
面板制造:LCD面板产能向大陆聚集
全球显示面板产能正向大陆转移。回顾全球LCD产业的发展,产能经历了“美国起源—日本发展—韩国超越—中国台湾崛起—大陆发力”的过程:最早由美国成功研发出LCD技术,由日本厂商将LCD技术产业化。1988年夏普推出世界第一台14英寸的液晶显示器,之后日本几乎垄断世界液晶面板产业。90年代后,韩国、中国台湾面板企业随之崛起,成功超越日本企业,并在长时间内主导整个市场。2009年后,大陆LCD面板厂商开始发力,经过十年努力,发展起来以京东方、华星光电、惠科股份、中电熊猫、和天马微电子等企业为代表的的LCD面板厂商,全球液晶面板产能也由日韩及中国台湾转向中国大陆。
2020年,由于韩国厂商产能退出政策等,中国厂商市场依据产能优势,市场份额继续上升。大尺寸方面,纵观当前趋势,韩国液晶电视面板制造商最终可能会退出液晶电视面板业务,将其市场份额转移给中国竞争对手;根据Trend Force集邦咨询显示器研究处数据,2020-2021年中国大陆面板厂囊括电视面板出货排行榜前三大,合计共占LCD电视面板出货量五成以上。中尺寸方面,根据Trend Force集邦咨询初步统计2021年面板厂出货数量,中国大陆面板厂在显示器面板(monitor)的市占率,将自2020年的39%提升至52%;笔电面板市占率则由36%上升至39%。
全球各国家及地区面板产能预测
液晶面板行业具备明显的重资产特征,每条产线投资需上百亿的资金,目前大陆厂商在高世代线领域已占据有利地位,大陆面板厂商拥有的8.X代线数已经位居全球前列,未来投资兴建的10+代线也以大陆厂商为主,领先于其他地区厂商。根据群智咨询调研数据,2019-2022E全球TV面板产线规划来看,新产能、高世代线主要来源于中国大陆地区,全球LCD面板制造产能正在向中国大陆聚集。
半导体:成熟制程扩产显著,28nm等技术将在国内供需链迎来窗口爆发期
我国集成电路产业规模持续增长,2011-2020年复合增长率远超全球水平。据WSTS数据显示,2011-2020年,全球集成电路市场销售额仅从2471亿美元增长至4407亿美元,年复合增长率仅6%。与此同时,在下游旺盛需求、国家政策推动下,我国集成电路市场快速发展,中国半导体市场协会数据显示,2011-2020年,我国集成电路产业市场规模实现翻倍,由1934亿元增长至8848亿元,年均复合增长率高达16%。我国在显示面板行业“后来居上”的发展历程为半导体产业发展提供经验与信心。
产能方面,国内成熟制程扩产显著。当前国内成熟工艺代工仍然以中芯国际和华虹为主,中芯国际具有完善的成熟工艺节点制程的代工能力,可充分满足下游各类需求,未来中芯国际将积极推进上海8寸厂、天津8寸厂、深圳8寸厂产能扩产,并推动宁波8寸厂投产。除中芯国际和华虹之外,粤芯、上海先进(积塔半导体),士兰集昕微等国内现有成熟制程产线均有相应的产能扩产计划。后续晶圆代工环节国内代工需求依然旺盛,预计国内晶圆建厂和扩产的热潮将会至少持续2-3年。
国内在建成熟制程晶圆产能(千片/月)
根据SEMI数据显示,从2017-2021年全球200nm晶圆产能预计增加约1268k/月,CAGR约为4.5%;而根据半导体行业观察及公司公告数据测算,同期我国200mm晶圆产能预计增加287k片,CAGR约为9.6%。
2021-2024年中国大陆晶圆厂建厂规划陆续出炉,中国大陆扩产潮继续涌动。2020下半年以来,全球芯片业缺货情况达到历史高峰期,产能紧缺情况预计至少持续到 2021 年二季度,这种长时间、大规模、系统性的产能紧张,将推动晶圆厂产能的变化和转移。不仅中国大陆本土陆续上马新晶圆厂,各大国际知名晶圆厂纷纷来建厂,形成了愈加突出的产能聚集效应,根据芯思想数据以及各公司公告整理了国内2021-2024 年已经出炉的晶圆厂建设项目,如下表所示, 2021-2024 年中国大陆晶圆厂已经规划的投资金额合计已超过 4000 亿元。
光刻胶起源于美国,柯达KTFR光刻胶为光刻胶工业的开创者,光刻胶跟随摩尔定律不断演进。1950s贝尔实验室尝试开发首块集成电路,半导体光刻胶由此诞生,并成为六七十年代半导体工业的主力体系,为半导体工业发展立下汗马功劳。逻辑支撑跟随摩尔定律,光刻胶不断推进产业演进。i线/g线光刻胶的产业化始于上世纪70年代,KrF光刻胶的产业化也早在上世纪80年代就由IBM完成。
美国强大的经济、科技基础、半导体先发优势和大规模集成电路需求催生了美国光刻产业。基于美国强大的经济及科技优势支撑、人才的吸纳与培养、完备的政策引导及美国科学基金等的支持促使美国有强大的研发投入资本,使得美国在半导体领域占据先发优势,同时由于美国大规模集成电路的需求,加速催生了全球第一批光刻产业。
美国IBM公司不断推进光刻胶的演进,在光刻胶早期市场占据主导地位。美国IBM公司不断突破光刻胶材料,将tBOC光刻胶作为专有知识产权材料,化学放大tBOC光刻胶使得IBM成为第一个使用深紫外制造技术的公司,赋予了IBM显著的竞争优势,在化学放大光刻胶的时代牢牢占据了市场主导地位。
20世纪50-60年代,日本半导体产业逐渐萌芽,在科研投入和下游需求拉动的作用下,日本光刻产业于20世纪70-90年代成功崛起。战后日本经济以劳动密集型纺织业为主,50年代开始逐步承接美国劳动密集型产业的半导体装配产业以及IC制造产业,产业结构不断转型升级,战后经济得到快速发展。随后,日本家电产业的繁荣带动上游半导体产业的崛起。1976年至1979年,日本开始建立“VLSI技术研究所”,由政府出资320亿日元,企业筹集400亿元,联合日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业,共同设立国家性科研机构,依赖于举国体制,1986年日本半导体产业第一次市占率超美。日本“产、学、官”相互协作体系诞生,一举奠定了日本半导体产业竞争力基础。
日本凭借家电产业的优势,带动了半导体技术的整体升级,一批IDM企业随之崛起,半导体产业第一次由美国转向了日本。另外,美国光刻机巨头Perkin-Elmer、GCA、Ultratech在1985年的半导体萧条中遭受重创。同时,日本光刻机企业尼康、佳能也步步紧逼,其中尼康更是在1988年首销KrF光刻机。光刻胶是光刻机的核心耗材,光刻机与光刻胶在新产品开发、产品销售等方面均存在一定协同效应。光刻胶技术必须要与光刻机和制程工艺相匹配才能开启成功之路。KrF光刻胶配合KrF光刻机,日本成为了当时全球光刻技术的核心,而美国彻底失去了对光刻技术的绝对垄断地位。
一方面,伴随着尼康和佳能在光刻机市场的崛起,带动了上游和新材料光刻胶的发展;同时,美国IBM公司积极转移第2代和第3代化学放大光刻胶,放弃光刻胶发展机会,行业竞争压力减小;最后,东京应化于1995年实现KrF光刻胶的商业化,恰逢半导体工艺制程节点逐步触碰i线光刻的极限,天时地利下,日本光刻胶成功崛起。
进入21世纪后,全球半导体产业已经从日本转移到了中国台湾和韩国。同时,尼康也被ASML超越,失去了全球光刻机的龙头地位。但是得益于日本光刻胶企业数十年的技术储备、专利申请、产业经验,构筑了光刻胶行业高度的技术壁垒和市场壁垒,仍占据高端市场的垄断地位。
据产业研究与顾问公司势银(TrendBank)调研,全球光刻胶用光引发剂、溶剂、成膜树脂及单体的主要生产企业总共44家,其中所属地在日本的企业最多,占据全球光刻胶原材料生产企业数量的49%。
东京应化成立于1936年,在1968年和1972年分别开发出负性光刻胶和正性光刻胶后,一直以成为光刻胶龙头供应商为目标,走在半导体微加工技术的前列。2006年,公司就率先投资研发ArF浸没光刻胶所需技术,2019年公司同样是引领10nm以下制程EUV光刻胶的企业之一。2019年,公司在全球半导体光刻胶市场中获得多项“第一”,凸显公司的行业领导地位。根据公司2019年年报,东京应化光刻胶销售量全球第一。
东京应化的材料和设备被广泛应用于半导体制造、半导体封装&MEMS制造、3D封装领域、面板制造领域,且具有相当竞争优势。公司光刻胶主要覆盖半导体前端、后端制造和先进封装。此外,公司还积极布局结构性材料、表面改性材料、微处理薄膜、毫米波吸收器等高附加值材料,开拓新业务领域。
2019年东京应化的营收构成中,材料业务合计占比96.2%,设备业务仅占3.7%。公司的电子功能材料包含光刻胶和高密度集成材料,其中封测用光刻胶隶属于后者。
根据东京应化2019年年报,公司在半导体光刻胶的各个细分市场中的销售量中,EUV、KrF、g线/i线光刻胶的销售量全球第一,ArF光刻胶销售量全球第四。
东京应化的电子材料部门销售构成中,KrF和ArF光刻胶占比一半,g线和i线光刻胶占比14%,EUV光刻胶不足9%。韩国和中国台湾是公司半导体光刻胶的主要销售地。公司2019财年电子功能材料营收582.5亿日元,同比下降1%;材料部门营运利润134.6亿日元,同比下降8.8%。公司2019年营收和利润的下滑主要源于当时的中美贸易冲突、手机需求下滑和服务器市场增速放缓。
随着疫情的减弱、EUV光刻胶被更大范围地应用、中国市场对ArF光刻胶需求的持续增加、KrF光刻胶在3D-NAND方面的进一步拓展、下游封测端的景气持续,东京应化将恢复稳健增长。根据公司2021中期计划,预计到2021年,EUV和ArF光刻胶的销售相较于2018年将上升40%,同期KrF光刻胶和高密度集成材料将分别同比上升70%和10%。
JSR成立于1957年,自1969年以来,JSR已将其石化业务从合成橡胶扩展到包括乳液、塑料和其他材料,并利用专有聚合物技术扩大了半导体、平板显示器和光学材料领域的业务运营。根据公司年报,JSR在FY2019实现营收4720亿日元,营运利润329亿日元。JSR于1979年进入光刻胶领域。目前,公司光刻胶业务隶属于数字解决方案部门,主要用于半导体和显示行业。
根据JSR2019中期业务规划—强化未来竞争力,从FY2018开始,公司先进光刻胶和其他半导体材料的销量大幅上升,同时公司将生命科学业务作为第三核心业务,弹性业务中的SSBR也增长迅猛。
JSR的半导体光刻胶全面覆盖从g线到EUV。其中g线和i线光刻胶被用于关键和非关键应用,KrF和ArF光刻胶被用于影像超关键领域,EUV光刻胶主攻10nm及以下制程工艺。目前,JSR正在研发和销售适用于5nm及以下制程的EUV光刻胶,以维持和扩大公司在先进光刻材料的市场份额。根据JSR年报,2015年JSR和imec合资设立了EUV光刻胶制造和质量中心N.V,该机构于2017年开始生产EUV光刻胶,并正在稳步提升支持5nm及以下制程的光刻胶。
由于全球范围内EUV光刻胶仍处于技术储备和快速发展期,因此,JSR先进的EUV光刻胶构成了公司的核心竞争力。目前,JSR产品中展示了当光阻厚度为30nm,L/S窗口为14nm,线宽粗糙度(line width roughness, LWR)为3.6nm的EUV光刻胶产品曝光后效果,采用的光源为NXE3300B。
JSR的主要半导体制造厂遍布全球,包括美国、欧洲、韩国、中国台湾、中国大陆、日本。JSR集团确保每个地区的工厂可以研发和供给尖端材料,支撑半导体芯片的不断进化。根据公司年报,在JSR的EUV光刻胶由位于比利时的EUV光刻胶制造和质量中心N.V.供给。
JSR的数字解决业务、生命科学和其他业务合计在FY2019中营收占比42%,是公司的主要收入。FY2019的上半年存储器市场表现疲软,但是逻辑设备开始逐渐恢复。得益于光刻胶和清洁方案的热销,JSR的半导体材料部门的FY2019营收为840亿日元,同比增长10.4%。但是受疫情影响,公司预计2020财年半导体材料部门的营收将为830亿日元,同比下降1%。电子解决业务部门的FY2019营运利润为309亿日元,同比下降5.3%。公司预计FY2020,该部门的营运利润为240亿日元,同比下降22.3%。电子解决方案营运利润的下降主要归因于疫情和清洁解决方案扩张带来的额外成本。
信越化学是日本最大的化工企业。公司成立于1926年,前身为信越氮肥料株式会社。上世纪60年代,公司是最早向海外扩张的日本化工企业。1998年,公司实现了光刻胶产品的商用化。信越化学在PVC、半导体硅等多个领域处于国际龙头地位。其中PVC、硅晶圆、合成石英、先进光掩模版、合成信息素方面的全球市占率第一;在光刻胶和甲基纤维素方面全球第二;在硅树脂方面全球第四。公司目标成为所有品类的全球领导者。
信越化学的光刻胶业务隶属于电子和功能材料部门。公司利用其材料制造商的优势,从原料聚合物的合成到化合进行一体化生产。信越化学的光刻胶涵盖i线、KrF、ArF、EUV。公司的KrF和ArF光刻胶被用于蚀刻半导体电路的光敏材料,厚膜i线光刻胶被广泛用于薄膜磁头和MEMS应用。此外,对于尖端制程,公司有一系列可被用于半导体光刻的多层材料产品。信越化学的光刻胶主要由中国台湾工厂和日本直江津工厂提供。
信越化学的电子及功能材料业务是公司的第四大业务,2019财年营收占比15%。2019财年信越化学的电子各功能材料业务实现营收2251亿日元,同比下降0.4%;实现营业利润685亿日元,同比上升2.3%。根据2019年公司年报,电子和功能材料部门收入下降的主要原因是稀土磁铁业务受制于受下游工业设备需求的不景气,但是光刻胶业务表现优秀。其中,ArF和EUV光刻胶持续热销。近期,日本213地震导致信越光刻胶的部分工厂暂时停工。公司于2月15日发布声明,设备没有损坏,且逐步恢复正常生产。未来公司将把握半导体制造景气机遇,持续提升光刻胶业务。
总结日本几大半导体材料巨头发展历程可以看出:
1)研发历史悠久,底蕴悠长。东京应化自1972年开始研究光刻胶、JSR自1979年进入光刻胶领域、信越化学工业自1998年实现光刻胶的商用,日本的光刻胶企业都是十年以上的技术储备、专利申请以及产业经验;
2)布局上游材料:东京应化、JSR都有布局上游原材料,信越化学工业也有布局上游树脂原料。显著提高毛利率,根据方正证券产业调研数据,是否布局上游原材料,毛利率差异在50~90点的差距。同时可以实现光刻胶产业链的自主可控。
3)日本依靠家电产业链带动了整个电子产业链的转型升级,半导体行业第三次产业转移能够带动国内相关企业的发展,复制日本巨头发展的路径。
受制于国内光刻胶技术发展水平,目前我国高端光刻胶的自给率仍然保持较低水平。尽管国内光刻胶市场保持了良好的增长趋势,但以KrF、ArF光刻胶为代表的半导体光刻胶领域国内市场份额仍然较小,高端光刻胶市场长期为国外巨头所垄断。
目前从国内市场看,国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业主要有晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华、容大感光、博康等,从事非半导体光刻胶研发和生产的企业包括雅克科技、飞凯材料、永太科技、博康等。
国内已经成功研发并实现产业化的光刻胶生产企业中,雅克科技、飞凯材料、永太科技等公司的光刻胶产品主要应用于PCB及面板领域。
从事半导体用光刻胶研发和产业化的企业则多以i线、g线光刻胶生产为主,应用集成电路制程为350nm以上。高端光刻胶产品领域,除北京科华、博康已量产KrF光刻胶(可应用于130nm集成电路制程)外,上海新阳、晶瑞股份、容大感光尚未实现高端光刻胶量产,且涉足ArF光刻胶的企业目前均尚处研发阶段。
光刻胶供应链不全,上游材料纯度不足,原材料严重依赖进口。对光刻胶、氟化氢、硅片等半导体先进材料来说,纯度是其最核心的指标之一。相关资料表明,目前国外先进企业光刻胶阻抗可达1015,国产光刻胶基本上停留在1010(阻抗越高说明纯度越高)。光刻胶纯度不足会造成芯片良率下降,甚至污染事故。2019年台积电就因为光阻原料污染导致上万片12寸晶圆报废,直接损失达5.5亿美元。
长期以来,我国光刻胶产业发展缓慢,使得光刻胶原材料的开发缺乏动力和目标,造成当前光刻材料用原材料大部分依赖进口。光刻胶原材料也是影响纯度的核心因素之一。目前我国光刻胶用树脂基本上从美、日、韩进口;感光剂从日本进口为主,国内光刻胶产业链布局不完整。
以光刻胶溶剂为例。溶剂占光刻胶总质量80%-90%,是光刻胶重要原料。最常用的光刻胶溶剂丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)生产主要集中在美国、西欧及中国等国家和地区,主要厂家是美国陶氏化学、伊士曼化学,荷兰利安德巴塞尔,德国巴斯夫等企业。这些企业深耕PMA工业生产领域已有30多年的历史,拥有丰厚的技术经验,国产企业一朝一夕间很难突破。
先行者高筑专利壁垒,将后来者拒之门外。国产光刻胶企业想要实现突破,不仅面临原材料、纯度等难题,还面临强大的专利壁垒。受规模限制,国内主要光刻胶企业研发投入情况远低于同期国际企业。在产业化技术能力上,国际光刻胶企业普遍拥I线光刻胶、KrF光刻胶、ArF/ArFi光刻胶等系列产品,并正在开发EUV光刻胶,针对核心产品建立了较全面的专利体系和地区覆盖。国内光刻胶企业仅在中I线光刻胶方面实现了大批量应用,KrF光刻胶处于小批量使用和产品的系列化开发阶段,与国际光刻胶先进水平的差距3代以上,核心专利单薄,自我发展能力薄弱。
从专利申请数量看,也可反应这一状况。截止2019年“光刻胶”相关专利仍以外国申请人为主,占比达67%,另外,前10位申请人中,有7名申请人来自日本。而国内申请人不仅专利数量较少、且主要是研究院和高校。分年份看,2010年,光刻胶的专利出现井喷,2013年之后,相关专利的申请已经开始锐减。总体来说,光刻胶已经是一个相当成熟且固化的产业,先行者高筑专利壁垒,将后来者拒之门外。
2.1晶瑞股份
公司成立于2001年,是一家微电子材料的平台型高新技术企业。公司围绕泛半导体材料和新能源材料两个方向,主导产品包括光刻胶及配套材料、超净高纯试剂、锂电池材料和基础化工材料等,广泛应用于半导体、新能源、基础化工等行业,主要应用到下游电子产品生产过程的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、浆料制备等工艺环节。其中光刻胶产品由公司的子公司苏州瑞红生产,苏州瑞红作为国内光刻胶领域的先驱,是1993年由苏电公司、日本瑞翁和日本丸红共同出资设立的合资企业,主要生产经营微电子配套用的光刻胶、高纯配套化学试剂及其他产品。规模生产光刻胶近30年,主要应用于半导体及平板显示领域,产品技术水平和销售额处于国内领先地位。在国内率先实现目前集成电路芯片制造领域大量使用的核心光刻胶的量产,可以实现0.35μm的分辨率,在业内建立了较高技术声誉。
光刻胶产品类型覆盖高中低分辨率的I线、G线紫外正性光刻胶、环化橡胶型负性光刻胶、化学增幅型光刻胶、厚膜光刻胶等类型,应用行业涵盖IC、TFT-array、LED、Touch panel、先进封装等领域。
公司生产的配套材料主要包括光刻胶配套试剂为主的显影液、剥离液、蚀刻液和清洗液等复配材料,并向半导体公司实现批量供货。公司光刻胶配套材料品种丰富、功能齐全,凭借独特的原料和配方优势,可以有效满足下游行业不同的制造工艺制程要求。公司生产的光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶,两者的生产工艺流程基本一致,区别在于原材料不尽相同。
公司生产的光刻胶对应的核心生产工艺为产品配方技术、超洁净技术和质量控制技术。公司拥有100级净化灌装线,生产人员在洁净环境下根据公司自主研发的产品配方对原材料进行配比溶解,经调整后,进行精密过滤,最后灌装形成光刻胶成品。
公司拥有国内一流的光刻胶检测评价技术,为了保证公司产品质量,在每一步工艺流程后均会对公司产品进行质量检测分析,以满足客户对光刻胶的分辨率、感光灵敏度等技术指标要求。
公司光刻胶产品序列齐全,产业化规模和盈利能力均处于行业领先水平,紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分g线等产品已规模供应市场数十年,i线光刻胶已向合肥长鑫、士兰微、扬杰科技、福顺微电子等行业头部公司供货。KrF(248nm深紫外)光刻胶完成中试,产品分辨率达到了0.25~0.13μm的技术要求,建成了中试示范线。公司在2016年与日本三菱化学株式会社在苏州设立了LCD用彩色光刻胶共同研究所,为三菱化学的彩色光刻胶在国内的检测以及中国国内客户评定检测服务,并于2019年开始批量生产供应显示面板厂家。
公司承担并完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目,拥有达到国际先进水平的光刻胶生产线,实行符合现代电子化学品要求的净化管理,拥有国家02专项资助的一流光刻胶研发和评价实验室。
公司拥有完善的研发体系、激励机制和实力较强的研发队伍,公司研发团队主持了国家、省、市科技项目二十余项,起草并正式颁布国标标准1项、国家标准3项、行业标准15项,主持起草3项行业标准,参与编制SEMI标准1项。其中公司组建了国内领先的光刻胶研发团队,具有丰富的光刻胶研发和生产经验。公司重视技术人员的培养,多次派技术人员到德国、日本学习,同时与高校中科院等开展技术合作。凭借专业的研发团队和完善的研发体系,公司已经具备为下游客户开发新产品的实力,以领先的工艺技术有效解决客户对产品的功能性需求。公司拥有国家CNAS认证实验室,配置有各类先进的分析检测仪器,可以进行各种工艺试验和应用技术研究,具备进行超纯电子化学试剂的各项指标检测和分析能力,处于国内领先水平。公司取得了一大批拥有自主知识产权并产业化的科研成果。2020年公司研发投入为3384.7万元,稳定的研发投入及优秀的研发创新能力使公司拥有较强的技术优势和竞争实力,将持续为公司带来稳定的经济效益。截至2020年期末,公司及下属子公司共拥有专利72项,其中发明专利45项。
2021年拟向不特定对象发行可转换公司债券募集资金,发行募集资金总额不超过5.23亿元(含5.23亿元),扣除发行费用后,募集资金拟投入集成电路制造用高端光刻胶研发项目、阳恒化工年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目以及补充流动资金或偿还银行贷款。
公司通过Singtest Technology PTE.LTD.进口韩国SKHynix的ASML光刻机设备,总价款为1102.5万美元。于2020年下半年购买ASML1900Gi型光刻机设备,ArF高端光刻胶研发工作正式启动,旨在研发满足90-28nm芯片制程的ArF(193nm)光刻胶,满足当前集成电路产业关键材料市场需求。
公司依托设立在公司的国家CNAS实验室及江苏省集成电路精细化学品工程技术中心等研发平台,开发了系列配套材料用于光刻胶产品配套,为客户提供了完善的技术解决方案,并向半导体公司实现批量供货。
2020年6月,苏州瑞红与合肥长鑫于“长三角一体化发展重大合作事项签约仪式”上签署光刻胶相关合作协议。未来公司将联合华虹半导体、长鑫存储等下游客户共同推进高端光刻胶产品研发和应用。
2016-2020年光刻胶及配套材料营收总体上呈增长趋势,2019年受市场需求、市场竞争等因素影响有所下滑,但2020年受益于我国半导体材料行业国产替代进程提速,下游芯片厂商需求增长,光刻胶及配套材料市场份额稳步增长,营收大幅增长。
2020年公司总营收达10.2亿元,同比增长35.3%。实现归属于上市公司股东的净利润0.8亿元,同比增长145.7%。其中光刻胶及配套材料取得历史最好成绩,营收达到1.8亿元,同比增长126.3%,占总营收比重为17.5%。
2016-2019年公司光刻胶业务营收占比总体上呈现下降趋势,2020年得益于光刻胶及配套材料营收大幅增长,占总营收比重也大幅提高。
2.2南大光电
公司通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化,南大光电形成了MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料和光刻胶四大业务板块。
公司建立的先进光刻胶研发中心具备了研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的能力。已经开发的多款先进光刻胶产品在客户端的首轮评估中获得好评。其中公司正在自主研发和产业化的193nm光刻胶项目,已获得国家02专项“193nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”和“ArF光刻胶开发和产业化项目”的正式立项。
公司组建了包括高级光刻胶专业人才的独立研发团队,建成1500平方米的研发中心和百升级光刻胶中试生产线。目前拥有研发人员35名,含博士学历研发人员4名,宁波南大光电光刻胶团队负责人为许从应博士。公司就光刻胶及其配套材料相关技术提交专利申请84项,其中8项实用新型专利已获授权。
2020年12月,公司自主研发的ArF光刻胶产品成功通过武汉新芯的使用认证,成为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。本次验证使用50nm闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺已经可以满足45nm90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm90nm光刻需求。
南大光电拟募集资金1.5亿元投资于光刻胶项目,包括先进光刻胶及高纯配套材料的开发和产业化项目和ArF光刻胶产品的开发和产业化。
在“02专项”ArF(干式和浸没式)光刻胶产品配方等研发成果基础上继续深化,进一步丰富产品种类、提升技术指标,修正评估体系。
建立ArF光刻胶产品大规模生产线,形成年产25吨ArF(干式/浸没式)光刻胶产品的生产能力,产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求,在通过下游客户使用认证后实现批量销售。建立国内第一个专业用于ArF光刻胶产品开发的检测评估平台,平台配备ArF光刻机、涂胶显影一体机、特征尺寸扫描电镜、缺陷检测和分析等检测设备,满足先进光刻胶技术、产品的分析测试需求。
组建一支具有国际领先水平的先进光刻胶产品开发和产业化团队,建立完善的技术开发、生产运行、品质管理、市场开拓、客户服务机制和与ArF光刻胶产业自主发展相适应的知识产权体系。布局光刻胶上游产业,对光刻胶配套高纯试剂(包括稀释剂、高纯丙二醇甲醚等,主要用于光刻工艺)、高纯显影液(主要用于曝光后的显影)和原材料(包括溶剂、树脂、光敏剂、添加剂等)进行研究和开发,建设年产45吨光刻胶配套高纯试剂生产线及年产350吨高纯显影液生产线,提升全产业链自主可控能力。
近年来公司产品结构不断优化,客户拓展顺利,营收及归母净利润持续增长,净利率不断提高。
2.3雅克科技
并购延伸业务领域,半导体电子材料平台日渐成型,“芯”“屏”双覆盖。雅克科技本以磷系阻燃剂为主营业务之一,经过多年的发展,先后收购UP Chemical、华飞、科美特及江苏先科,开启半导体材料新赛道,布局前驱体、球形硅微粉、电子特气,覆盖半导体薄膜光刻、沉积、刻蚀、清洗等核心环节。
2020年光刻胶业务并表,丰富产品结构,导入优质客户资源。2020年至今公司已陆续完成对江苏科特美及LG化学下属彩色光刻胶事业部的收购及整合,公司通过上述收购将同时掌握彩色光刻胶和TFT-PR光刻胶的技术、生产工艺和全球知名大客户资源,并成为LG显示屏有限公司的长期供应商。公司通过前期在韩国并购UP Chemical过程中建立的商业资源、产业信息渠道优势,积极开拓光刻胶业务,首先从面板用光刻胶着手,并战略布局半导体用光刻胶业务。
营收持续增长,2020韩国斯洋&韩国COTEM并表增加光刻胶收入。2017-2021Q1,公司营收与归母净利润呈现整体增长趋势,2020公司归母净利润增长系营收与投资收益增长。合并报表范围内新增子公司韩国斯洋和韩国COTEM增加了光刻胶营业收入。
毛利率逐年提升,电子材料业务快速增长。公司2017-2020销售毛利率分别为21.51%、28.01%、37.14%以及35.52%,保持较高水平。2021年第一季度的销售毛利率为27.40%。2015-2017年,公司营业收入主要来自公司传统的阻燃剂业务,2017年公司布局电子材料业务,阻燃剂业务收缩。2018-2019年电子材料业务逐渐贡献营收,并逐步成为公司主营业务。2020年全年光刻胶及配套试剂业务实现收入3.4亿元,占总营收比例为15.04%。
定增12亿元综合布局电子材料,其中6亿元加码光刻胶及其配套试剂。2020年9月11日,公司启动非公开发行A股股票,计划募集资金总额不超过12亿元(含)。募集资金拟投向浙江华飞电子集成电路封装材料项目、电子特种气体扩产项目、电子信息材料国产化项目和补充流动资金。光刻胶及光刻胶配套试剂项目的实施是在拥有相关关键技术后国内具体项目的产业化落地,将在生产经营上减少对国外企业的依赖,并且填补国内相关技术的空白。
2.4彤程新材
全球领先的新材料综合服务商,持续推进“一体两翼“的战略,通过内生式增长和外延式发展加电子化学品和环保的领域布局。公司主要生产和销售轮胎橡胶用高性能酚醛树脂,产品在行业内处于领导者地位,业务范围涵盖化工材料、汽车材料、医疗材料、电子材料和环保材料等领域。
传统领域:特种橡胶助剂龙头,技术研发能力强,客户关系稳固。公司构建自主研发和技术服务团队,先后建立北京和上海南北两个研发中心,在国内率先建立了科学有效的轮胎及橡胶制品剖析平台。公司与国内外轮胎企业建立了长期稳定的业务合作,客户覆盖全球轮胎75强,包括普利司通、米其林、固特异、马牌、倍耐力等国际知名轮胎企业。在贸易方面,公司是德国BASF、法国道达尔、日本住友化学等国际领先材料供应商在中国轮胎橡胶行业的唯一或主要合作伙伴。
新材料领域:通过自产树脂等相关材料以及收购北京科华+北旭电子在半导体、显示面板等领域的下游应用延展,形成产业发展协同优势,赢取公司中长期发展空间。
(1)以酚醛树脂为基础,公司酚醛树脂总产能提升,逐步切入光刻胶等电子化学品领域。彤程新材是全球领先的酚醛树脂供应商,光刻胶是酚醛树脂的高端运用领域,公司目前酚醛树脂产能为7.8万吨,随着公司华奇化工2.7万吨新产能投放,酚醛树脂总产能将达10.5万吨。公司以电子级酚醛树脂为基础,整合行业上下游优势,通过下游客户端和产品原料端的赋能,向电子化学品产业链延伸,有步骤、分层次的进入电子化学品相关领域。
(2)收购北京科华和北旭电子,对外投资光刻胶项目,强化半导体和显示面板光刻胶平台布局。公司全资子公司彤程电子2020年年内分别受让京东方所持北旭电子45%股权、收购北京科华微电子材料有限公司33.7%股权,持续强化在面板、电子化学品领域的布局。21Q1公司对北京科华增资且实现并表。在进行外延投资的同时强化自身投资布局,子公司彤程电子于2020年12月公告拟投资5.70亿元建设年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目,预计2021年末建成投产,并于2025年达产。
经营情况方面,公司20年营收稍有下滑,参股公司并表业绩良好,助力2020年归母净利润成长。21Q1特种橡胶助业务回暖,带动盈利增长。近年来公司业绩持续增长,公司全年营收20.46亿元,同比下降7.34%;归母净利润4.10亿元,同比增长24.17%。公司业绩总体实现良好增长;21Q1营收5.74亿元,同比增长25.72%;归母净利润1.45亿元,同比增长128.85%。21Q1北京科华并表后,公司电子化学品实现销售281.6吨,营收0.13亿元。
北京科华是唯一被SEMI列入全球光刻胶八强的中国光刻胶公司,拥有KrF(248nm)、g线、i线、半导体负胶、封装胶等产品,是中国大陆销售额最高的国产半导体光刻胶公司,KrF光刻胶国家02专项的承担单位,是国内唯一可以批量供应KrF光刻胶给本土8寸和12寸的晶圆厂客户。
2020年北京科华营收8928万元,是国内销售额最高的光刻胶公司。i线光刻胶产品销售额5495万元,占中国i线光刻胶销售额的16.7%,中国i线产品国产替代基本上靠北京科华贡献。北京科华在2020年推出了0.3um分辨率的产品KMPC7700,该产品性能达到i线光刻胶的最高要求。
北京科华2010年起承担KrF光刻胶国家02专项,并于2014年完成产业化并形成销售,2020年KrF(248nm)光刻胶销售286万元,是唯一可以批量供应KrF光刻胶给8寸和12寸客户的本土光刻胶公司。目前已有7款产品在客户端形成批量销售,进入中芯国际、上海华力微电子、长江存储科技、武汉新芯、上海华虹宏力等国内主流用户中批量使用;同时有5款新品在客户端验证。其中KMPDK1080荣获第十二届(2017年度)中国半导体创新产品和技术奖;KMPDK1089荣获第二十二届(2020年度)中国国际高新技术成果交易会优秀产品奖,科华微电子的248nm光刻胶已经进入了快速增长轨道。北京科华在2020年底推出了最高水平的产品KMPDK5010,该产品达到世界一流KrF光刻胶水准,可以覆盖14nm以上implant层次的KrF(248nm)光刻胶需求。
此外,DUV光刻胶方面,北京科华产品KMPDK3050,适用于12寸逻辑电路制程55nm节点的关键离子注入层;KMPDK2060产品适用于8寸逻辑电路制程150nm节点的关键孔洞层,同时适用于12寸逻辑55nm及12寸64层存储的非关键孔洞层。
北旭电子成立于1994年,是国内材料科学领域领先的科技创新型企业。通过20多年的不断成长,公司利己在有机材料和特殊玻璃粉体领域的专业积累,为客户提供一系列高品质产品和解决方案。主营业务为有机正型光阻和无机特殊粉体,产品涵盖航空、航天、电子、医药、船舶,家用电器、汽车及日用品等领域。可根据客户性能需求,定制各种类型光刻胶产品,包括LCD-array正胶,有机绝缘膜,I-line光刻胶,Krf及ArF光刻胶等。正型光刻胶应用于IC、各类尺寸TFT-LCD及AMOLED领域,主要客户为京东方。
2.5华懋科技
2020年1月4日,华懋科技发布产业基金对外投资公告,公司旗下产业基金东阳凯阳拟出资3000万元向徐州博康增资,增资后持有徐州博康1.186%股权,同时获得5.5亿元无条件转股权和2.2亿元股权转让权,若全部转股合计持有31.63%股权。
公司变更实控人以及管理层持股比例大幅增加,看好公司步入新的成长期。此次公司进军半导体光刻胶的核心赛道,短期新增并表有望带来投资收益,中长期有望成为公司成长新引擎,公司的业绩和估值有望稳步提升。
华懋科技公司作为国内安全气囊材料龙头,公司业绩有望持续受益于国产汽车景气度复苏以及安全气囊行业成长性。
实控人变更打通激励机制,高管大比例增持、治理结构进一步优化。20年10月公司完成实控人变更,20年12月公司董事、总经理张初全基于对公司发展的信心,受让金威国际1543.80万股股份,权益变动后,张初全直接和间接持有公司13.41%股份。张初全深耕行业十余年,此次变更一方面使得公司治理结构更优,另一方面彰显了公司管理层对公司中长期发展前景的肯定。
华懋科技增资徐州博康,进军半导体光刻胶产业,有望成为中长期成长新引擎。华懋科技旗下产业基金东阳凯阳拟出资3000万元向徐州博康增资,同时获得5.5亿元的可转股借款和2.2亿元的投资权,若全部转股合计持有31.63%股权。徐州博康承诺2021-2023年营收不低于5.75、9.26和13.6亿元,净利润不低于1.15、1.76和2.45亿元,半导体材料领域实现新的利润增长点,成为中长期成长新引擎。
徐州博康从事光刻材料领域中的中高端化学品业务,在单体+树脂+成品+配套试剂全面发力,实现光刻胶全产业链覆盖。公司是集研发、生产、经营中高端光刻胶、光刻胶单体和光刻胶树脂为主的国家高新技术企业,也是国内唯一可以规模化生产中高端光刻胶单体材料的企业,博康旗下汉拓光学产品线覆盖电子束/ArF/KrF/I-Line等半导体光刻胶系列产品,徐州博康未来有望成为国内产品最齐全、技术水平最高的光刻胶材料研发制造基地、国产中高端光刻胶第一品牌。
研发方面,徐州博康研发人员硕博比例较高。团队有160人左右,主要由合成部、工艺部和工厂转化人员组成,合成部75人主要由曾供职于国际知名化学和制药企业的博士和硕士组成,分别占整个研发团队的10%和35%。
徐州博康曾先后与中科院微电子所建立了校企联盟,与复旦大学、加拿大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室,成功研发出世界先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产,成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。从2017年起,徐州博康开始承担国家863项目的国际02项目中的《193纳米光刻胶的开发与产业化》,并于2019年正式被国家确定为光刻胶单体的国标制定单位。
徐州博康光刻胶单体业务占全球市场份额的5%,并已存储了全球80%的光刻胶单体产品技术。公司拥有193nm/248nm光刻胶单体、193nm/248nm光刻胶、G线/I线光刻胶、电子束光刻胶等产品。目前已成功开发出10+个高端光刻胶产品系列,包括多种电子束胶,193nmArF干法光刻胶,248nmKrF正负型光刻胶,365nmI线正负型光刻胶及GHI超厚负胶,覆盖IC集成电路制造,IC后段封装,化合物半导体,分立器件,电子束等市场应用,服务客户超过40家,包括国内IC领先制造企业。
目前徐州博康正在建设生产中心二期工程,项目建成后预计可年产光刻胶材料1100吨、电子级溶剂10000吨,年产值20亿元,未来将成为国内产品最齐全、技术水平最高的光刻胶材料研发制造基地。
5.6上海新阳
上海新阳创立于1999年,2011年在深圳证券交易所创业板上市。二十年来,上海新阳形成了拥有完整自主可控知识产权的电子电镀和电子清洗两大核心技术。公司正在加快开发第三大核心技术——光刻技术,在集成电路制造用ArF干法、KrF厚膜胶、I线等高端光刻胶领域已有重大突破。
公司已立项研发集成电路制造用高分辨率193nmArF光刻胶及配套材料与应用技术,拥有完整自主可控知识产权的光刻胶产品与应用即将形成公司的第三大核心技术,公司在国内半导体功能性化学材料领域的地位将更加稳固。
公司持续投入,进行技术创新与产品研发,半导体业务近10年研发投入年均复合增长率近20%,占半导体业务营收比例平均为17%。半导体业务技术开发团队,95%人员为本科以上学历,20%为硕士研究生以上学历,近30%的技术人员有10年以上行业经验。2020年研发投入总额8,027.46万元,占本期营业收入的比重为11.57%,其中半导体业务研发投入占半导体业务的比重为20.60%。集成电路制造用高端光刻胶项目是2020年公司研发投入的重点项目之一。
2020年,公司中试光刻胶产品取得优异测试结果,光刻机设备陆续到位;21Q1产品中试已完成,进入客户验证阶段。公司集成电路制造用ArF干法、KrF厚膜等中试光刻胶产品已取得优异的客户端测试结果,根据投资者关系互动平台,21Q1产品中试已完成,进入客户验证阶段。同时公司采购的用于I线光刻胶研发的Nikon-i14型光刻机,用于KrF光刻胶研发的Nikon-205C型光刻机,用于ArF干法光刻胶研发的ASML-1400型光刻机,用于ArF浸没式光刻胶研发的ASMLXT1900Gi型光刻机已全部到厂。公司光刻机设备的陆续到位,有助于加速推动公司在光刻技术的全产业链布局及开拓;同时公司加大在晶圆及先进封装湿制程设备领域的投资布局。
定增项目加码光刻胶。根据公司公告,上海新阳拟向特定对象发行募集资金不超过14.5亿元(含14.5亿元),扣除发行费用后拟将8.15亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目,3.35亿元用于集成电路关键工艺材料项目,3.00亿元用于补充公司流动资金。
若上述光刻胶项目按计划进行,公司预计KrF厚膜光刻胶2022年稳定量产销售,预计ArF(干式)光刻胶项目在2023年开始稳定量产销售,预计当年各项产品销售收入合计可达近2亿元。研发成功后,公司将掌握包括原料纯化工艺、配方工艺和生产工艺在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术,可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货。
5.7飞凯材料
飞凯材料自2002年成立以来,始终专注于材料行业的创新与突破。从光通信领域紫外固化材料的自主研发和生产开始,不断寻求行业间技术协同,将核心业务范围逐步拓展至集成电路制造、屏幕显示和医药中间体领域,为客户提供定制化、差异化的材料解决方案。
公司所处行业主要为紫外固化材料及电子化学材料行业,主营业务为高科技制造领域适用的紫外固化材料及电子化学材料等材料的研究、生产和销售,分为屏幕显示材料、半导体材料及紫外固化材料三大板块。公司屏幕显示材料主要包括用于TFT-LCD液晶显示面板制造领域的正性光刻胶、TN/STN型混合液晶、TFT型混合液晶、液晶单体及液晶中间体、用于OLED屏幕制造领域的配套材料等新材料。公司半导体材料主要包括应用于半导体制造及先进封装领域的光刻胶,湿制程电子化学品和封装用材料等。公司紫外固化材料主要包括紫外固化光纤光缆涂覆材料及其他紫外固化材料。
公司近年来营收、净利润稳定增长。在光刻胶方面,公司5000t/aTFT-LCD光刻胶项目于2020年顺利试生产。飞凯材料当前已开发出适用于8寸/12寸晶圆制造的I-line光刻胶,可根据客户需求定制;飞凯材料TFT正性光刻胶,应用于高世代面板Array制程,具有高感度、高分辨率、高附着性、涂布均一性及稳定性良好的特点。2020年面板用光刻胶实现收入人民币3,800万元。
公司注重研发历年研发投入逐年增长,占营业收入比例均在7%以上。2020年公司研发费用投入约1.36亿元,同比增长12.13%,占2020年度营业收入的7.32%。截止2020年底公司拥有专利356篇,其中与光刻胶及其相关材料有关的发明专利8篇,另外正在申请的3篇。
目前国内PCB领域湿膜光刻胶、阻焊油墨光刻胶领域国产化程度较高,在干膜光刻胶领域,以北京科华、江苏瑞红为代表的头部光刻胶企业也有技术突破。随着PCB板向高密度、高精度、多层化发展,对于PCB光刻胶的质与量的要求会越来越高。目前PCB行业景气度较高,可以关注持续目前PCB光刻胶领域的主要企业如容大感光、飞凯材料。
半导体材料行业的发展特点:
1)半导体材料属于晶圆制造耗材,与晶圆厂产能高度相关。中芯国际、华虹半导体等国内Fab厂产能扩充,且对于材料国产替代的迫切性提上日程。
2)品类多,单一品类市场较小,且单一品类下通常包含有若干产品的特点。2020年半导体光刻胶规模大概20亿美金元左右,
优质半导体材料企业都不是做单一品类产品,上文介绍了东京应化、JSR、信越化学,都是布局了多个材料领域。国内企业像晶瑞股份产品包括光刻胶、高纯试剂;雅克科技产品包括光刻胶、前驱体业务、电子气体等。
3)技术壁垒高。半导体材料的研发具有偶得性,研发成果通常建立在日积月累的经验之上,需要企业持续的研发投入才能实现突破。根据方正证券产业调研,ArF光刻胶的研发投入在10亿人民币左右。
4)客户壁垒高。客户对于更换光刻胶是非常慎重的,一般需要通过董事会导论,比如晶瑞股份做进中芯国际I线是经过董事会决策的,最后中芯国际改变参数及工艺之后,晶瑞股份才成为中芯国际I线的供应商。每个芯片在设计时都会有独立的工艺包,包括光刻胶的种类、气体的种类、湿化品的种类等,准确来讲是没有完全相同的光刻胶产品的,最初设计光刻胶工艺参数的时候,其实是客户定制化的,整个半导体材料在制造中的占比是比较小的,所以客户的替换动力较低,客户壁垒非常强。
华为、中芯国际被制裁,推动中国半导体行业加速国产化替代。2020年5月,美国商务部将华为公司列入“实体清单”,此后禁令接连升级,无论交易哪一阶段,只要有华为公司参与,则任何公司未经许可都不得出售用美国软件或设备制造的半导体。2020年9月15日起,华为难以再从商业途径获得芯片。台积电、英特尔、高通、联发科、美光等芯片大厂乃至中芯国际都相继宣布,即日起无法继续为华为供货。华为虽拥有芯片设计能力,仍因华为海思设计麒麟9000芯片委托台积电生产)。背后核心就在于半导体先进制程尚未“国产”,高端半导体工艺成为“卡脖子”问题。
2020年12月3日,继华为被制裁后,美国国防部将中芯国际加入“中国军方企业”名单,意味着美国企业在向中芯国际供应相关技术或产品时,需要获得政府许可,同时无法将获得来自美国的资金支持。中芯国际成为第二家被制裁的中国高科技企业,被半导体制造设备、材料“卡脖子”,背后仍是高端半导体工艺难以自主可控的重要短板。
日本光刻胶大厂产能受限,国内多家晶圆厂供货受限,再次凸显光刻胶国产化重要性。据集微网报道,由于KrF光刻胶产能受限以及全球晶圆厂积极扩产等原因,日本信越化学已经向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶,甚至已通知部分中小晶圆厂停止供货KrF光刻胶,国内多家晶圆厂将会面临KrF光刻胶大缺货的处境。由于地震原因,信越化学KrF光刻胶产线受到很大程度的破坏,至今尚未完全恢复生产,在产线受到影响和晶圆厂扩产等多方因素下,信越化学不得不停止向中国大陆几家晶圆厂供应KrF光刻胶。虽然东京应化(TOK)填补了信越化学海外大部分缺失的KrF光刻胶产能,但目前仍存在不小的缺口。
此外,以日韩贸易战为鉴,材料“自主可控”成为国际趋势。根据日本METI政府网站消息,从2019年7月1日开始,日本将韩国从出口贸易“白名单”中删除;从7月4日开始,日本向韩国出口氟化聚酰亚胺(PI)、光刻胶和高纯氟化氢这三种材料需要单独申请出口许可证并进行出口审查。此次受限的三种电子材料是上游核心材料,日本基本垄断其全球主要产能,韩国OLED、半导体产业对日本电子材料有着较强的依赖性,面对政策调整,启发下游制造商降低对单一供应商/单一地区供应商依赖、加快扶持本土产业集群提高供应链安全,材料端“自主可控”成为国际趋势。
就光刻胶这一核心材料领域来讲,目前半导体光刻胶、面板光刻胶仍有较大国产化空间。高档光刻胶的保质期通常只有6个月左右甚至更短,一旦遇到贸易冲突或自然灾害,我国集成电路产业势必面临芯片企业短期内全面停产的严重局面。
总结来看,无论是贸易摩擦下高端半导体工艺受到掣肘,还是高端半导体材料受限,都显示着材料端自主可控的重要性;近期KrF光刻胶供应受限再次敲响警钟,同时也为国产高端光刻胶产品加速导入提供契机;以光刻胶为代表,对材料和设备产业来讲,面对自主可控的迫切需求和尚未实现自主的现状之间的矛盾,抓住下游机遇,从产业链角度入手、寻求产业链自主发展是破局之法。
半导体、面板显示领域光刻胶投资逻辑:
(1)下游LCD产业向大陆转移+集成电路成熟制程扩产显著,参考日本半导体产业发展史,为国产半导体光刻胶、面板显示光刻胶企业提供发展土壤与市场空间。
(2)中美贸易摩擦、2020年疫情,使供应链安全与全产业链自主可控成为重中之重;日本光刻胶产业集群的发展为国内光刻胶企业提供借鉴经验。
(3)光刻胶具备高重要程度+成本不敏感属性,供应链存在天然高稳定性的特点;近期KrF光刻胶供应受限再次敲响警钟,也加速国产光刻胶产品导入。在加速进口替代的趋势下,建议关注核心材料一体化+具备先发优势的龙头公司。
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